钻瓜专利网为您找到相关结果
417 个，建议您
升级VIP 下载更多相关专利
[发明专利] 随机数生成装置和方法 -CN201911063067.9 在审
发明人：
申小龙 ;闫鑫 ;赵俊峰 ;薛晓勇 ;唐文涛
- 专利权人：
华为技术有限公司 ;复旦大学
申请日：
2019-10-31
-
公布日：
2021-05-04
-
主分类号：
G06F7/58 文献下载
摘要： 随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM 器件和第二RRAM 器件，第一RRAM 器件和第二RRAM 器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM 器件和第二RRAM 器件，并用于向第一RRAM 器件和第二RRAM 器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM 器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM 器件和第二RRAM 器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM 器件和第二RRAM 器件，并用于根据第一RRAM 器件的低阻态以及第二RRAM 器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM 器件的阻态高于第一RRAM 器件的低阻态。随机数 生成 装置 方法
[发明专利] 基于RRAM 的EEPROM安全非易失存储器 -CN202210561450.2 在审
发明人：
张跃军 ;戴晟 ;艾广鹏
- 专利权人：
宁波大学
申请日：
2022-05-23
-
公布日：
2022-10-18
-
主分类号：
G11C16/10 文献下载
摘要： 本发明公开了一种基于RRAM 的EEPROM安全非易失存储器，包括字线WL、n个EEPROM单元电路、n条位线BL1‑BLn、灵敏放大器模块和开关电路，灵敏放大器模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，开关电路包括第五PMOS管，每个EEPROM单元电路分别包括RRAM 和第四NMOS管，RRAM 由顶电极、氧化层和底电极组成，当RRAM 的顶电极和底电极之间没有加载电压时，RRAM 处于高阻抗状态(HRS)，当在RRAM 的顶电极和底电极之间加载电压，且该电压超过预设的阈值电压时，氧化层形成导电丝，RRAM 处于低阻抗状态(LRS)，当RRAM 处于低阻抗状态时，在RRAM 的顶电极和底电极之间加载反向电压，此时RRAM 将从LRS再次变为HRS；优点是面积较小、工艺简单、成本较低，整体电路结构简单。基于 rram eeprom 安全 非易失 存储器
